DBC陶瓷基板是陶瓷板制作工藝中按工藝屬性分來的陶瓷電路板，DBC就直接覆銅，是一種陶瓷表面金屬化技術(shù)，它直接將陶瓷（三氧化二鋁、氧化鈹、AIN等）和基板銅相接。這種技術(shù)主要用于電力電子模塊、半導體制冷和LED器件等的封裝應用廣泛。

DBC陶瓷基板的優(yōu)選材料

三氧化二鋁絕緣性好、化學穩(wěn)定性好、強度高、而且價格低，是DBC技術(shù)的優(yōu)選材料，但是三氧化二鋁的熱導率低，并且與SI的熱膨脹系數(shù)還有一定的熱失配，氧化鈹一種常見的DBC技術(shù)用陶瓷材料，低溫熱導率高，制作工藝很完善，可用于中高功率器件，打死你在應用領(lǐng)域和過程中，所產(chǎn)生的毒性應有適當防護；AIN材料無毒，介電常數(shù)適中，熱導率遠高于三氧化二鋁，和氧化鈹接近，熱膨脹系數(shù)與SI接近，各類SI芯片和大功率器件可以直接附著在AIN基板生而不用其他材料的過渡層。目前用于DBC技術(shù)中前景十分看好。

DBC陶瓷基板技術(shù)的特征

1 在金屬和陶瓷界面間沒有明顯的中間層存在，沒有底熱導焊料，因其忍住小，熱擴散能力強；接觸電阻也較低，有利于高功率高頻器件的鏈接。

      2，鏈接溫度低于銅的熔點，DBC基片在連接過程中保持穩(wěn)定的幾何形狀，在一些情況下，可以講銅箔在鏈接前就制成所需的形狀，然后進行DBC的制備過程，免去了連接后的刻蝕工藝。

      3 ， AIN基片的熱膨脹系數(shù)和SI較接近，各類芯片可以直接焊于DBC基片上，使連接層數(shù)減少，減低熱阻值。簡化各類半導體結(jié)構(gòu)。由于DBC基片中熱膨脹系數(shù)和SI較為匹配，

      4，工序簡單，無需MO-MN法復雜的陶瓷金屬化工序，無需加焊料，涂鈦粉等。

      5，金屬和陶瓷之間具有具有足夠的附著強度，連接較好的DBC基片中陶瓷和金屬的附著力強度接近于厚膜金屬化的強度。

      6，銅導體部分具有極高的載流能力，因此有能力的減小截流介質(zhì)的尺寸，并提高功率容量。

      DBC陶瓷基板廣泛被應用在高功率器件上面，當然，DBC技術(shù)的應用范圍也在不斷的延伸發(fā)展。更多陶瓷基板的需求可以咨詢金瑞欣特種電路，十年多韓各樣經(jīng)驗，值得信賴。